半导体行业解决方案

针对半导体制程对真空环境的严苛要求，提供CVD、PECVD等核心工艺的真空系统解决方案

半导体行业解决方案

针对半导体制程对真空环境的严苛要求，提供CVD、PECVD等核心工艺的真空系统解决方案

核心应用场景

CVD 化学气相沉积

• LPCVD低压化学气相沉积：SiO₂、Si₃N₄、多晶硅薄膜制备

• 90nm以上工艺中的介质层沉积

• 真空度要求：10⁻¹ ~ 10⁻³ Pa

 

PECVD 等离子体增强CVD

• 28~90nm先进制程介质绝缘层沉积

• 200~400℃低温沉积，保护热敏感基材

• 等离子体激发增强反应活性

 

关键工艺需求

工艺环节

真空要求

核心设备

技术要点

晶圆制程前端

10⁻⁴ ~ 10⁻⁶ Pa

干泵+分子泵

无油洁净、防颗粒污染

薄膜沉积

0.1 ~ 10 Torr

罗茨泵+干泵机组

精确压力控制、均匀性

刻蚀工艺

10⁻² ~ 10⁻⁴ Pa

涡轮分子泵系统

高抽速、耐腐蚀性

封装测试

1 ~ 100 Pa

干式螺杆泵

连续运行稳定性

解决方案优势

•  超高洁净度：全干式无油真空系统，杜绝油蒸气污染晶圆

•  精确控制：真空度±1%精度控制，保障薄膜均匀性

•  耐腐蚀设计：特种材质处理，适应氟基、氯基腐蚀性气体

•  7×24稳定运行：平均无故障时间＞20000小时